Mosfet Si-C su Yin – Yang e P-Stone

Audiozen è innovazione ad alta fedeltà. Audiozen è innovazione nell’alta fedeltà

In un settore come quello dell’alta fedeltà spesso i luoghi comuni sono talmente radicati negli audiofili che molti costruttori, dall’altro lato, non si preoccupano di andare oltre, cercando nuovi argomenti per rinnovare i propri prodotti.
Non si parla di controlli e automatismi che possano rendere più facile la gestione degli apparecchi, bensì della ricerca di nuovi dispositivi che possono celare inaspettate prestazioni positive all’ascolto.

Audiozen anche da questo punto di vista è una mosca bianca, da sempre e soprattutto negli ultimi anni investe molte risorse nella ricerca e sviluppo di stadi finali a stato solido che adottano moderni dispositivi: comincia nel 2015 con l’uso dell’IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) e gli ottimi riscontri ottenuti anche oltreoceano danno ragione a questa prima piccola sfida.

La vera svolta avviene però nel 2019 quando, dopo mesi di test, Audiozen decide di abbandonare l’IGBT per il Mosfet al carburo di silicio (Si-C).
Il carburo di silicio (Si-C), conosciuto anche come carborundum, è un semiconduttore contenente silicio e carbonio.

Le principali caratteristiche e benefici del Mosfet Si-C includono:

  • Capacità di gestire temperature molto elevate: ciò consente una gestione termica semplificata e una migliore affidabilità del sistema;
  • Variazioni minime di temperatura, a tutto vantaggio del dimensionamento che sarà più compatto (alette di raffreddamento meno ingombranti);
  • Efficienza di sistema più elevata.

Il Mosfet Si-C è quindi sinonimo di affidabilità e di potenza e, implementato in uno stadio finale ben progettato, all’ascolto sfodera il meglio di sé, con doti di velocità, trasparenza e controllo senza rivali.

Grazie alla lungimiranza di Nino Pistone (fondatore e progettista di Audiozen), attualmente Audiozen è probabilmente l’unico costruttore al mondo che ha scelto di adottare il Mosfet al carburo di silicio come dispositivo di potenza per i propri stadi finali in classe AB.

Audiozen scommette continuamente sulle proprie scelte innovative e, dopo ulteriori investimenti, ha deciso di equipaggiare da Gennaio 2022 i finali di potenza monofonici Yin – Yang e il finale dual mono P-Stone con un nuovo Mosfet Si-C evoluto, chiamato SIC FET 2 per distinguerlo dal precedente.

La tabella comparativa sottostante riassume in poche righe le caratteristiche da primo della classe del nuovo SIC FET 2.

L’evento musicale è così oltremodo realistico, con una stupefacente separazione nelle tre dimensioni dei piani sonori, arricchito da una velocità e da un controllo delle basse frequenze spiazzante.

Audiozen è innovazione ad alta fedeltà.
Audiozen è innovazione nell’alta fedeltà.

SIC FET 2 - Mosfet al carburo di silicio (Si-C)
Audiozen Yin - Yang - Carismatici finali di potenza monofonici
Audiozen P-Stone - Pannello superiore in perspex

La tabella è consultabile anche su smartphone ruotando lo schermo.

mosfet standard al silicio vs Audiozen mosfet Si-C & SIC FET 2 - tabella comparativa
mosfet STD al silicio (IRFP240)
mosfet STD al silicio (IRFP250)
audiozen si-C mosfet (2019 - 2021)
audiozen SIC FET 2
voltaggio max drain - source
200 v
200 v
650 v
700 v
corrente max
20 a
30 a
21 A
38 a
RDS ON1
180mΩ
85mΩ
120mΩ
75mΩ
tensione di soglia2
2 v
2 v
2,7 v
1,8 v
capacità di ingresso3
1300pF
2800pF
460pF
655pF
velocità di crescita della corrente4
51nS
86nS
21nS
9nS
velocità di discesa della corrente4
36nS
62nS
14nS
10nS
carica totale del gate5
70nC
140nC
38nC
38nC

1: Il valore della resistenza tra i terminali Drain e Source di un mosfet durante il funzionamento (ON) è chiamato resistenza ON (RDS ON).
Più piccolo è questo valore, minore è la perdita di potenza.

2: La tensione di soglia VGS(th) tra i terminali Gate – Source è il valore di voltaggio richiesto per portare in conduzione il mosfet. In altre parole, alimentando la giunzione con una tensione più elevata di VGS(th) il mosfet entrerà in conduzione.

3: Le capacità influenzano negativamente le prestazioni di un mosfet di potenza. Più basso quindi sarà il loro valore, migliori saranno le performance del dispositivo.

4: I mosfet Si-C sono 7 volte più veloci di un mosfet al silicio. Questa caratteristica li rende ideali per la gestione della dinamica del segnale audio.

5: La carica totale del Gate (Qg) è la quantità di carica che deve essere iniettata nel terminale Gate per accendere (pilotare) il mosfet.
L’unità di Qg è il Coulomb (C), maggiore è la carica totale del Gate, maggiore sarà il tempo che ci vorrà per caricare il condensatore necessario per accendere il mosfet, aumentando la perdita di energia.

Solo attraverso la comunicazione
la vita umana può avere un significato.

Paulo Freire